증착, 열증착, 스퍼터링의 세 가지 종류로 분류할 수 있습니다. 화학기상증착(CVD)은 원료물질을 기체에 실어 보내 증착시키지만 기판의 표면에서 화학반응을 일으키는 방식 입니다. 열증착법(Thermalevaporation)은 금속재료를 증착시키기 위해 고진공에서 전자빔이나 전기 필라멘트를 이용해 보트를 가열
박막형성이 가능하고, 고융점 금속을 포함한 모든 재료에 적용할 수 있다. 또한 증착속도가 빠르며 multiple deposition이 가능하다. 그러나, 단점으로는 E-beam이 금속과 부딪히면서 X-ray가 발생되어 기판을 손상시킬 수 있다.
이번 실험에 빗대어 설명을 하면 실리콘 Wafer를 E-beam evaporator 내부 상단의 chamber에
증착법과는 다르게 저온에서 간단히 박막을 증착할 수 있는데, 다음과 같이 여러 증착법이 있다.
스퍼터링(Sputtering), 전자빔 증착법 (E-beam evaporation), 열 증착법(Thermalevaporation), 레이저분자빔 증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스 레이저 증착법(PLD, Pulsed Laser Deposition) 등이 그것인데, 이번 실험
증착될 물체와 그 표면에 부착시키려는 금속 등의 입자를 넣어 둔 다음, 히터에 전류를 흘러서 가열함으로써 그 금속 입자를 증발시키면 차가운 물체 표면에 응축해서 부착하는 것을 이용하여 붙이는 방식이다. 이 때 시료를 가열하는 부분인 증발원의 재료로는 W(텅스텐), Mo(몰리브덴), Ta(탄탈) 등이 쓰
이용하여 박막을 형성하는 것이 E-Beam Evaporator이다. 그림5.는 E-beam장치의 구조도이다. 장치안의 필라멘트에 매우 높은 전압을 가하면 필라멘트에서 에너지를 가진 열전자들이 방출된다. 이 부분을 electron gun이라하고 여기에 의해 방출된 열전자들은 ingot 형태의 증착시키고자하는 재료(ingot feeder)에 충돌
이용하여 붙이는 방식이다. 이 때 시료를 가열하는 부분인 증발원의 재료로는 W(텅스텐), Mo(몰리브덴), Ta(탄탈) 등이 쓰인다. 증발원에 전류를 흘려보내면 저항에 의해 가열이 되는데 이때 시료는 녹게 되고 결국 증발하게 되는 것이다. 증발원 재료는 고온에서 증발원의 재료와 박막재료가 반응이나 확
이용하여 더 낮은 진공을 잡아준다. 증착기에서 사용하는 밸브는 release 밸브를 제외하고는 모두 공기압식 밸브를 사용한다. release 밸브는 갑작스런 정전이나 조작상의 실수로 인하여 펌프의 오일이 챔버와 배기 라인으로 역류하는 것을 방지하기 위한 솔레노이드식(Solenoid type)밸브로써, 정상 작동시에
실험이론
그림 3.1.2 Capacitor
그림 3.1.1 MOS capacitor
3-1 Metal Oxide Semiconductor(MOS) Capacitor
MOS란 Metal-Oxide-Semiconductor(금속-산화물-반도체)의 3중 구조를 말한다.
Metal-Insulator-Semiconductor(금속-절연체-반도체) 구조 중에서 가장 널리 이용된다. 실제로는 실리콘 기판위에 SiO2 박막을 형성하고 그 위에 금속
도착한 기체상태의 물질의 조성과 같다. PVD는 증착시키려는 물질을 기체 상태로 만들어서 날려 보내는 것이므로 진공 상태에서 해주어야 한다. 즉, 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야한다.
특징은 초점이 높은 심도를 이용해서 비교적 큰 표본을 입체적으로 관찰 할 수 있다는 것이다.
두 가지 전자현미경의 차이를 보면, TEM은 얇은 시편을 beam이 투과하여 관찰하므로 2차적인 또는 단면적인 구조를 나타내지만 SEM은 시료 위를 주사된 상을 관찰하므로 3차원적인 입체상을 관찰할 수 있다.